芯片磨损测试

检测项目

1. 机械磨损测试：探针接触循环测试、微划痕测试、纳米压痕测试、键合点剪切力测试。

2. 电应力致磨损测试：热载流子注入效应测试、时间依赖介电击穿测试、电迁移测试、栅氧完整性测试。

3. 热应力与热机械应力测试：高低温循环测试、温度冲击测试、高温存储寿命测试、功率温度循环测试。

4. 互连线与接触孔可靠性测试：应力迁移测试、接触电阻退化测试、通孔电迁移测试、金属线电迁移测试。

5. 介质层可靠性测试：层间介质层经时击穿测试、金属间介质层完整性测试、电容电压特性漂移测试。

6. 晶体管参数漂移测试：阈值电压漂移测试、跨导退化测试、漏电流增大测试、开关特性退化测试。

7. 封装级可靠性测试：芯片剪切强度测试、塑封料与芯片界面分层测试、焊点疲劳测试、基板翘曲测试。

8. 环境应力测试：高压蒸煮测试、温湿度偏压测试、混合气体腐蚀测试。

9. 辐射与软错误率测试：α粒子软错误测试、中子辐照导致的单粒子效应测试、总剂量辐照测试。

10. 振动与机械冲击测试：随机振动测试、正弦振动测试、机械冲击测试、恒定加速度测试。

11. 综合应力加速寿命测试：高温工作寿命测试、低温工作寿命测试、温湿度偏压高加速寿命测试。

检测范围

中央处理器、图形处理器、内存芯片、闪存颗粒、嵌入式微控制器、射频芯片、电源管理芯片、传感器芯片、模拟数字转换芯片、现场可编程门阵列、专用集成电路、硅基光电子芯片、微机电系统器件、功率半导体器件、先进封装集成芯片、晶圆级封装芯片、系统级封装模块、第三代半导体碳化硅芯片、第三代半导体氮化镓芯片

检测设备

1. 高精度半导体参数分析仪：用于精确测量晶体管及互连线在应力前后的电流电压特性变化，测试参数漂移；具备皮安级电流与微伏级电压分辨率。

2. 高温高加速寿命试验箱：提供精确控制的高温、高湿及偏压环境，用于进行加速应力测试以测试芯片的长期可靠性。

3. 高低温循环试验箱：模拟极端温度变化环境，用于测试芯片封装及内部结构因热膨胀系数不匹配引发的热机械疲劳失效。

4. 精密探针台系统：在显微镜下对晶圆或芯片上的微米级焊盘进行精准电学接触，便于施加应力并进行原位测量。

5. 时间依赖介电击穿测试系统：专门用于对栅氧化层等介质层施加恒定或升高的电场应力，监测其击穿时间与失效分布。

6. 微纳米力学测试系统：集成纳米压痕与划痕功能，用于测试芯片表面薄膜材料的力学性能、附着力及抗磨损能力。

7. 扫描电子显微镜：用于高倍率观察芯片内部结构在磨损测试后的物理形貌变化，如裂纹、空洞、分层等失效特征。

8. 聚焦离子束系统：可对芯片特定区域进行微米级精度的切割与截面制备，结合电子显微镜进行失效点的横截面分析。

9. 振动与冲击试验台：模拟产品在运输、使用过程中受到的机械振动与冲击环境，测试芯片及封装的机械结构完整性。

10. 辐射源与测试腔体：提供受控的α粒子、中子或γ射线辐射环境，用于测试芯片在辐射环境下的软错误率及性能退化。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.